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單晶硅等硅材料、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。目前對其清洗和生產(chǎn)的水質(zhì)精度要求都比較高，電阻度一般要求大于10兆歐/厘米；

其主要工藝如下：

1、采用反滲透水處理設(shè)備與離子交換設(shè)備進(jìn)行組合的方式，其基本工藝流程為：原水→沙炭過濾器→精密過濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→混床（復(fù)床）→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)

2、采用反滲透水處理設(shè)備與電去離子（EDI）設(shè)備進(jìn)行搭配的的方式，這是一種制取超純水的最新工藝，也是一種環(huán)保，經(jīng)濟(jì)，發(fā)展?jié)摿薮蟮某兯苽涔に?，其基本工藝流程為：原水→沙炭過濾器→精密過濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→電去離子（EDI）→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)

涂料、油漆和清洗劑的生產(chǎn)

，由于生產(chǎn)時(shí)對純水的精度要求的不同，其工藝也有很大的區(qū)別，以下是提供的四種主要工藝，可按照以下后綴的水質(zhì)精度要求，選擇對應(yīng)的工藝和流程；

二、    主要工藝介紹：

1、采用一級反滲透方式，其流程如下：

原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→反滲透 →純水箱→純水泵→用水點(diǎn)（電導(dǎo)率：≦10us/cm）

2、采用二級反滲透方式，其流程如下：

原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→反滲透 →純水箱→純水泵→用水點(diǎn)（電導(dǎo)率：≦2us/cm）

3、采用離子交換方式，其流程如下：

原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級反滲透→中間水箱→中間水泵→混床→純水箱→純水輸送泵→用水點(diǎn)（電阻值：≧5Ω /cm）

4、采用EDI方式，其流程如下：

原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→第一級反滲透 →PH調(diào)節(jié)→第二級反滲透（反滲透膜表面帶正電荷）→中間水泵→EDI系統(tǒng)→純水箱→純水泵→用水點(diǎn)（電阻值：≧15Ω /cm）